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碳化硅反應(yīng)燒結(jié)爐是專門用于制備反應(yīng)燒結(jié)碳化硅（RB-SiC）的高端熱處理設(shè)備，通過硅熔滲（Silicon Infiltration）工藝，將多孔碳化硅素坯與熔融硅在高溫下反應(yīng)，形成高致密、高性能的SiC-Si復(fù)合材料。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空航天等領(lǐng)域。
參數(shù)指標(biāo)
參數(shù)指標(biāo)
單位/型號
實驗型
生產(chǎn)型
NTG-SJL-50W
NTG-SJL-90W
NTG-SJL-120W
NTG-SJL-165W
NTG-SJL-210W
NTG-SJL-276W
有效尺寸
mm
300×300×600
400×400×800
500×500×1200
600×600×1600
600×600×2000
750×750×2000
加熱方式
/
石墨電阻
高溫區(qū)容積
L
54
128
300
576
720
1125
裝載量
g
裝料區(qū)容積*產(chǎn)品密度（裝料容積可根據(jù)用戶需求定制）
功 率
KW
50
90
120
165
210
276
極限真空度
pa
冷態(tài) 5pa(真空度可根據(jù)客戶需求定制)
工作溫度
℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
最高溫度
℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
恒溫區(qū)溫差
℃
±5℃
±5℃
±7℃
±7℃
±10℃
±10℃
爐內(nèi)工作環(huán)境
/
真空狀態(tài)或Ar.N2氣氛保護(hù)（微正壓）
可定制更大尺寸
